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                                          新物聯號:科技前沿       發布時間:2022/4/27 16:08:58       共計:1113 瀏覽

                                          USB-C電源套件包(Power Bundle)、第71200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡化高能效電源方案的設計


                                          2022427—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),將在2022年5月10日至12日于德國紐倫堡舉行的PCIM Europe上推出一系列新的電源方案。



                                          安森美PCIM Europe的展臺將呈現最新技術的現場演示,展示這些技術如何賦能開發領先市場的電動車、儲能、智能電源等方案。其中的精彩演示包括一輛與慕尼黑工業大學(Technical University Munich) 聯合開發的學生電動方程式(Student Formula E)汽車和一輛電動摩托車。此外,安森美還將展出來自Kempower公司的一個電動車充電器實物,它采用了安森美SiC二極管,以及一個帶有ecoSpin的倉庫機器人。


                                          安森美首席營銷官Felicity Carson說:“我們很高興回到PCIM Europe實體展會,展示能解決能源基礎設施、通信和電動車最新挑戰的眾多產品。我們與合作伙伴和客戶合作,進一步展示我們技術的全新實踐應用!


                                          安森美將發布新的power bundle,針對100 W以上的USB-C 供電(USB-C PD)充電,采用NCP1623、NCP1345NCP4307,這些器件都是非常成功的臨界導通模式功率因素校正(PFC)、高頻準諧振(QR)和同步整流器控制器系列的一部分。新的USB-C控制器的發布將進一步擴展USB-C產品系列。


                                          安森美碳化硅(SiC)領域的領軍企業之一,將推出多種新型SiC功率開關器件,性能都比前幾代產品更強。首款TOLL封裝的650 V 、33 mΩ SiC MOSFET NTBL045N065SC1,比D2PAK 7lead占位更小,空間更小,封裝電感更低。首款TOLL封裝的650 V 、33 mΩ SiC MOSFET提供開爾文(Kelvin)源配置,以改善開關損耗和門極噪聲,并保證達到濕度敏感度等級1 (MSL1)。SiC器件與上一代硅器件相比具有明顯的優勢,包括高頻下的能效更高、電磁干擾(EMI)更低、能承受更高的工作溫度和更高的可靠性。安森美是唯一具有SiC方案垂直整合能力的供應商,包括SiC晶錠生長、襯底、外延、器件制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝方案。


                                          最后,安森美還將首次展示第7IGBT和二極管。最新的1200 V FS7 IGBT比上一代的正向偏置電壓下降了20%,大大提高了電機控制應用的能效和功率密度。公司還將推出快速版FS7 IGBT,用于太陽能、不間斷電源(UPS)和儲能等中高開關頻率的應用,開關損耗減少50%。FS7產品組合進一步擴展, 包括750 V1200 VVE-TracTM Direct符合車規方案的推出,具有出色的魯棒性、軟開關和高能效,以滿足當今的電動車主驅需求。


                                          安森美的技術人員將在PCIM Europe發表多個主題演講,包括海報會議上的SiC技術、行業論壇上的電力電子技術、電動車論壇和參展商論壇。

                                          新物聯號:科技前沿
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